Новини

UMC успешно произведе 28nm SRAM чипове

Written by Редактор

Един от водещите производители на полупроводникови чипове – компанията United Microelectronics Corp. (UMC) демонстрира успешно произведени от нея SRAM чипове, изработени по 28nm производствен процес. Производството на чиповете е базирано на разработената от UMC технология носеща името Low-Leakage (LL). За самия процес UMC е използвала double-patterning течностна литография комбинирана с технологията на напрегнат силиций.

Целта на UMС е произвеждането на продукти предназначени за употреба не толкова в компютърната индустрия, колкото в редица други области. Според UMC произведените по LL/Strained silicon 28nm SRAM клетки ще са изключително подходящи за употреба в мобилни системи от типа на мобилни телефони, netbooks, PDA и др. Тъй като за производството на чиповете по 28nm процес се използват същите силициеви пластини с диаметър 300мм каквито и при 40nm процес, себестойността на новите чипове е почти два пъти по-ниска от тази на продуктите от предишното поколение.

About the author

Редактор

Leave a Comment